Как проверить полевой МОП (Mosfet) - транзистор цифровым мультиметром. К3878 чем заменить

Как проверить полевой транзистор мультиметром

В технике и радиолюбительской практике часто применяются полевые транзисторы. Такие устройства отличаются от обычных, биполярных, транзисторов тем, что в них управление выходным сигналом осуществляется управляющим электрическим полем. Особенно часто используются полевые транзисторы с изолированным затвором.

Англоязычное обозначение таких транзисторов – MOSFET, что означает «управляемый полем металло-оксидный полупроводниковый транзистор». В отечественной литературе эти приборы часто называют МДП или МОП транзисторами. В зависимости от технологии изготовления такие транзисторы могут быть n- или p-канальными.

Особенности конструкции, хранения и монтажа

Транзистор n-канального типа состоит из кремниевой подложки с p-проводимостью, n-областей, получаемых путем добавления в подложку примесей, диэлектрика, изолирующего затвор от канала, расположенного между n-областями. К n-областям подсоединяются выводы (исток и сток). Под действием источника питания из истока в сток по транзистору может протекать ток. Величиной этого тока управляет изолированный затвор прибора.

При работе с полевыми транзисторами необходимо учитывать их чувствительность к воздействию электрического поля. Поэтому хранить их надо с закороченными фольгой выводами, а перед пайкой необходимо закоротить выводы проволочкой. Паять полевые транзисторы надо с использованием паяльной станции, которая обеспечивает защиту от статического электричества.

Прежде, чем начать проверку исправности полевого транзистора, необходимо определить его цоколевку. Часто на импортном приборе наносятся метки, определяющие соответствующие выводы транзистора.

Буквой G обозначается затвор прибора, буквой S – исток, а буквой D- сток.

При отсутствии цоколевки на приборе необходимо посмотреть ее в документации на данный прибор.

Схема проверки полевого транзистора n-канального типа мультиметром

Перед тем, как проверить исправность полевого транзистора, необходимо учитывать, что в современных радиодеталях типа MOSFET между стоком и истоком есть дополнительный диод. Этот элемент обычно присутствует на схеме прибора. Его полярность зависит от типа транзистора.

Порядок проверки исправности n-канального транзистора мультиметром следующий:

Снять статическое электричество с транзистора.
Перевести мультиметр в режим проверки диодов.
Подключить черный провод мультиметра к минусу измерительного прибора, а красный – к плюсу.
Подключить красный провод к истоку, а черный – к стоку транзистора. Если транзистор исправен, то мультиметр покажет напряжение на переходе 0,5 — 0,7 В.

Подключить красный провод мультиметра к стоку, а черный – к истоку транзистора. При исправном приборе мультиметр покажет единицу, что означает бесконечность.
Подключить черный провод к истоку, а красный – к затвору. Таким образом, осуществляется открытие транзистора.
Черный провод оставляется на истоке, а красный подсоединяется к стоку. При исправном приборе мультиметр покажет напряжение от 0 до 800 мВ.
При смене полярности щупов мультиметра величина показаний не должна измениться.
Подключить красный провод к истоку, а черный – к затвору. Произойдет закрытие транзистора.

При этом транзистор возвратиться в состояние, соответствующее п.п.4 и 5.

По проделанным измерениям можно сделать вывод, что если полевой транзистор открывается и закрывается с помощью постоянного напряжения с мультиметра, то он исправен.

Полевой транзистор имеет большую входную емкость, которая разряжается довольно долго.

Это используется при проверке транзистора, когда вначале его открывают напряжением мультиметра (п.6), а затем в течение некоторого времени, пока не разрядилась входная емкость, проводят дополнительные измерения (п.п. 7,8).

Оценка исправности р-канального устройства

Проверка исправности р-канального полевого транзистора производится таким же образом, что и n-канального. Отличие состоит в том, что в п. 3 к минусу мультиметра надо подключить красный провод, а к плюсу мультиметра – черный провод.

Выводы:

Полевые транзисторы типа MOSFET широко используются в технике и радиолюбительской практике.
Проверку работоспособности таких транзисторов можно осуществить с помощью мультиметра, следуя определенной методике.
Проверка p-канального полевого транзистора мультиметром осуществляется таким же образом, что и n-канального транзистора, за исключением того, что следует изменить полярность подключения проводов мультиметра на обратную.

Видео о том, как проверить полевой транзистор

elektrik24.net

k3878 аналог — advODKA.com

1	alltransistors.com	70	—	3	да	4 627	1 400	2SK3878 - параметры транзистора, его аналоги, Даташиты...	2SK3878 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога.
2	tranzistor.biz	30	—	1	—	4 345	740	2SK3878 (2СК3878 ) MOSFET, аналоги	Справочные данные транзисторов. Аналоги. Основные параметры и характеристики. Для поиска введите не менее 3 букв или цифр!
3	radio-hobby.org	350	да	4	—	14 269	2 700	Аналоги для k3878 - Аналоги - Приднестровский портал...	Аналоги для k3878 - Аналоги, Поиск аналогов микросхем и транзисторов. ... Результаты поиска аналогов для k3878.
4	valvol.ru	60	—	2	—	1 325	130	Power Electronics • Просмотр темы - САИ 200 (сразу...	Ставил с другого аппарата K3878 - всё работает! Объездил весь город , нигде таких транзисторов нет, вопрос такой: чем его (К3878) можно заменить?
5	datasheet4u.com	120	—	4	да	7 382	1 200	K3878 datasheet, K3878 pdf, K3878 datasheet pdf, Field Effect...	K3878 Datasheet. Field Effect Transistor. ... 2SK3878. TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π- MOSIV).
6	espec.ws	425	да	3	—	45 600	4 500	Datasheet K3878	Помогите найти даташит MOSFET Toshiba K3878 или примерные характеристики. Используется в качестве силового ключа в импульсных источниках питания.
7	cxem.net	1 100	да	5	да	64 446	20 300	Сварочный Аппарат Темп Иса-250 - Сварочные аппараты...	ребята необходимо схема сварочного инвентора эдон мма 250 я посмотрел аналог темп иса 250 повнешнему виду одинаковые сгорел резистор на...
8	tut.by	11 000	—	6	да	88 053	54 000	Сварочный аппарат \| Строительный форум...	доброго дня всем.я новичок и сварщик-любитель.сгорела сварочка Straus и и не могу найти в гродно транзистор toshiba k3878.подойдет и аналог...
9	chipfind.ru	2 600	да	4	—	14 317	2 200	Поиск аналога для «k3878» \| ChipFind.ru	Аналоги для «k3878». Компонентов в таблицах взаимозаменяемости, подходящих под запрос «k3878» не найдено.
10	rom.by	650	да	4	да	24 546	3 400	Как подобрать аналог полевого транзистора? \| ROM.by	Аналоги микросхем. Детали и схемы материнских плат. SMD. Как подобрать аналог полевого транзистора? Транзисторы и резисторы.
11	weld.in.ua	30	—	1	—	977	90	K3878 [Архив] - Сварочный Форум	...сигналы на силовых транзисторах одинаковы были и по U - 5 U близнецы .Силовой каскад собран на К3878 почему такие слабые могу ... Просмотр полной версии : K3878.
12	master-tv.com	350	да	4	да	2 791	320	Как проверить полевой транзистор	В статье автор рассказывает, как произвести проверку полевого транзистора с помощью обычного омметра. Статья для начинающих.
13	radiobooka.ru	70	—	1	—	5 857	930	Отечественные аналоги зарубежных транзисторов	Отечественные аналоги зарубежных транзисторов. Зарубежный транзистор. Отечественный аналог. 2N1024.
14	zakupka.com	1 100	—	3	—	21 338	940	Транзистор MOSFET K3878 TOSHIBA (EZ-0014 ). Цена...	115.10 грн. Транзистор MOSFET K3878 TOSHIBА. Применяется как силовой ключ в различных устройствах в импульсных блоках питания, инверторах напряжения, в том числе и в сварочный аппаратах инверторного типа.
15	forumhouse.ru	1 400	да	4	да	157 593	51 700	Ремонт сварочных аппаратов \| Страница 31 \| Форум: дом...	На резисторе 512 ком и на LM7812 ничего нет. Cпасибо за поздравление. Так же всех с Праздником! Я говорил проверить, а не померять на резисторе. Да не...
16	abtronics.ru	140	—	1	—	1 742	80	2SK3878(F) — Силовые полевые транзисторы от компании...	2SK3878(F) является силовым полевым транзистором от компании Toshiba. Полупроводниковый прибор оснащен изолированным затвором на канале n-типа.
17	monitor.net.ru	475	да	2	—	41 529	3 500	Импульсные мощные(сварочные) аппараты. Ремонт схемы...	http://valvol.ru/topic1372.html , и ещё с десяток цитат могу найти, где рекомендуют 268 Я правда Jacsonу посоветовал её как один из аналогов, - а развил эту идею...
18	chipdip.ru	1 600	да	5	да	41 612	29 500	Простой метод проверки исправности полевого транзистора	В современной радиоэлектронной аппаратуре все чаще находят применение полевые транзисторы. Как доказала практика, конструктивная надежность данных компонентов...
19	svarkavita.com	30	—	0	—	23	0	Транзистор MOSFET K3878 TOSHIBA ― Svarka VITA	Транзистор MOSFET K3878 TOSHIBA. Артикул EZ-0014. В упаковке: 30. ... Транзистор MOSFET K3878 TOSHIBA. Previous Next. Доставка и оплата.
20	vrtp.ru	325	—	3	—	9 618	1 100	Сварочные инверторы, ремонт \| Форум	Сгоревшие стаб.20в и полевик К3878 я заменил на стаб.18в и полевик IRFPE40.,Но б.п.(эта самая дежурка) не запускается Я не правильно подобрал замену K3878 ???

advodka.com

Как проверить полевой транзистор мультиметром

Содержание:

Устройство и принцип действия
Проверка мультиметром
Видео

В радиоэлектронике и электротехнике транзисторы относятся к одним из основных элементов, без которых не будет работать ни одна схема. Среди них, наиболее широкое распространение получили полевые транзисторы, управляемые электрическим полем. Само электрическое поле возникает под действием напряжения, следовательно, каждый полевой транзистор является полупроводниковым прибором, управляемым напряжением. Наиболее часто применяются элементы с изолированным затвором. В процессе эксплуатации радиоэлектронных устройств и оборудования довольно часто возникает необходимость проверить полевой транзистор мультиметром, не нарушая общей схемы и не выпаивая его. Кроме того, на результаты проверки оказывает влияние модификация этих устройств, которые технологически разделяются на п- или р-канальные.

Устройство и принцип действия полевых транзисторов

Полевые транзисторы относятся к категории полупроводниковых приборов. Их усиливающие свойства создаются потоком основных носителей, который протекает через проводящий канал и управляется электрическим полем. Полевые транзисторы, в отличие от биполярных, для своей работы используют основные носители заряда, расположенные в полупроводнике. По своим конструктивным особенностям и технологии производства полевые транзисторы разделяются на две группы: элементы с управляющим р-п-переходом и устройства с изолированным затвором.

К первому варианту относятся элементы, затвор которых отделяется от канала р-п-переходом, смещенным в обратном направлении. Носители заряда входят в канал через электрод, называемый истоком. Выходной электрод, через который носители заряда уходят, называется стоком. Третий электрод – затвор выполняет функцию регулировки поперечного сечения канала.

Когда к истоку подключается отрицательное, а к стоку положительное напряжение, в самом канале появляется электрический ток. Он создается за счет движения от истока к стоку основных носителей заряда, то есть электронов. Еще одной характерной особенностью полевых транзисторов является движение электронов вдоль всего электронно-дырочного перехода.

Между затвором и каналом создается электрическое поле, способствующее изменению плотности носителей заряда в канале. То есть, изменяется величина протекающего тока. Поскольку управление происходит с помощью обратно смещенного р-п-перехода, сопротивление между каналом и управляющим электродом будет велико, а мощность, потребляемая от источника сигнала в цепи затвора, очень мала. За счет этого обеспечивается усиление электромагнитных колебаний не только по току и напряжению, но и по мощности.

Существуют полевые транзисторы, у которых затвор отделяется от канала слоем диэлектрика. В состав элемента с изолированным затвором входит подложка – полупроводниковая пластина, имеющая относительно высокое удельное сопротивление. В свою очередь, она состоит из двух областей с противоположными типами электропроводности. На каждую из них нанесен металлический электрод – исток и сток. Поверхность между ними покрывает тонкий слой диэлектрика. Таким образом, в полученную структуру входят металл, диэлектрик и полупроводник. Данное свойство позволяет проверить полевой транзистор мультиметром не выпаивая. Поэтому данный вид транзисторов сокращенно называют МДП. Они различаются наличием индуцированных или встроенных каналов.

Проверка мультиметром

Перед началом проверки на исправность полевого транзистора мультиметром, рекомендуется принять определенные меры безопасности, с целью предотвращения выхода транзистора из строя. Полевые транзисторы обладают высокой чувствительностью к статическому электричеству, поэтому перед их проверкой необходимо организовать заземление. Для снятия с себя накопленных статических зарядов, следует воспользоваться антистатическим заземляющим браслетом, надеваемым на руку. В случае отсутствия такого браслета можно просто коснуться рукой батареи отопления или других заземленных предметов.

Хранение полевых транзисторов, особенно с малой мощностью, должно осуществляться с соблюдением определенных правил. Одно из них заключается в том, что выводы транзисторов в этот период, находятся в замкнутом состоянии между собой. Конфигурация цоколей, то есть расположение выводов в различных моделях транзисторов может отличаться. Однако их маркировка остается неизменной, в соответствии с общепринятыми стандартами. Затвор по-английски означает Gate, сток – Drain, исток – Source, а для маркировки используются соответствующие буквы G, D и S. Если маркировка отсутствует необходимо воспользоваться специальным справочником или официальным документом от производителя электронных компонентов.

Проверку можно выполнить с помощью стрелочного омметра, но более удобной и эффективной будет прозвонка цифровым мультиметром, настроенным на тестирование p-n-переходов. Полученное значение сопротивления, отображаемое на дисплее, на пределе х100 численно будет соответствовать напряжению на р-п-переходе в милливольтах. После подготовки можно переходить к непосредственной проверке. Прежде всего нужно знать, что исправный транзистор обладает бесконечным сопротивлением между всеми его выводами. Прибор должен показывать такое сопротивление независимо от полярности щупов, то есть прикладываемого напряжения.

Современные мощные полевые транзисторы имеют встроенный диод, расположенный между стоком и истоком. В результате, при решении задачи, как прозвонить полевой транзистор мультиметром, канал сток-исток, ведет себя аналогично обычному диоду. Отрицательным щупом черного цвета необходимо коснуться подложки – стоку D, а положительным красным щупом – вывода истока S. Мультиметр покажет наличие прямого падения напряжения на внутреннем диоде до 500-800 милливольт. В обратном смещении, когда транзистор закрыт, прибор будет показывать бесконечно высокое сопротивление.

Далее, черный щуп остается на месте, а красный щуп касается вывода затвора G и вновь возвращается к выводу истока S. В этом случае мультиметр покажет значение, близкое к нулю, независимо от полярности приложенного напряжения. Транзистор откроется в результате прикосновения. Некоторые цифровые устройства могут показывать не нулевое значение, а 150-170 милливольт.

Если после этого, не отпуская красного щупа, коснуться черным щупом вывода затвора G, а затем возвратить его к выводу подложки стока D, то в этом случае произойдет закрытие транзистора, и мультиметр вновь отобразит падение напряжения на диоде. Такие показания характерны для большинства п-канальных устройств, используемых в видеокартах и материнских платах. Проверка р-канальных транзисторов осуществляется таким же образом, только со сменой полярности щупов мультиметра.

electric-220.ru

Проверка полевого транзистора с помощью мультиметра

Читать все новости ➔

Полевые транзисторы (ПТ), благодаря ряду уникальных параметров, в том числе высокому входному сопротивлению, малому сопротивлению в открытом состоянии, находят широкое применение в блоках питания компьютеров, мониторов, телевизоров, видеомагнитофонов и другой радиоэлектронной аппаратуры, постепенно, но неуклонно вытесняя транзисторы биполярные.

1. Меры предосторожности при работе с полевыми транзисторами

Чтобы предотвратить выход из строя транзистора во время проверки, очень важно соблюдать правила безопасности. Полевые транзисторы очень чувствительны к статическому электричеству, поэтому их рекомендуется проверять, предварительно организовав заземление. Для того чтобы снять с себя накопленные статические электрические заряды, необходимо надеть на руку заземляющий антистатический браслет.

При отсутствии браслета достаточно коснуться рукой батареи отопления или любых заземленных предметов, так как электростатические заряды между телами при их разделении распределяются пропорционально массе тел. Поэтому для их «обезвреживания» бывает достаточно прикоснуться даже к любой большой незаземленной металлической поверхности.

При хранении полевых транзисторов, особенно маломощных, их выводы должны быть замкнуты между собой.

2. Определение цоколёвки полевых транзисторов

Полевые транзисторы, выполненные по технологии МОП (металл-оксид-полупроводник) или МДП (металл-диэлектрик-полупроводник) в англоязычной литературе носят наименование MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor). Расположение выводов (цоколёвка) полевых транзисторов Затвор (Gate) – Сток (Drain) – Исток (Source) может быть различным. Чаще всего выводы транзистора можно определить по маркировке на плате ремонтируемого аппарата (обычно выводы маркируются латинскими буквами G, D, S). Если такой маркировки нет, то желательно воспользоваться справочными данными (datasheet).

Основные типы корпусов полевых транзисторов импортного производства

Корпус типа D²PAK, так же известен как TO-263-3. Встречается в основном на пожилых платах, на современных используется редко.

Корпус типа DPAK, так же известен как TO-252-3. Наиболее часто используется, представляет собой уменьшенный D²PAK.

Корпус типа SO-8.Встречается на материнских платах и видеокартах, чаще на последних. Внутри может скрываться один или два полевых транзистора.

Корпус типа SuperSO-8, он же - TDSON-8. отличается от SO-8 тем, что 4 вывода соединены с подложкой транзистора, что облегчает температурный режим. Характерен для продуктов фирмы Infineon. Легко заменяется на аналог в корпусе SO-8

Корпус типа IPAK так же известен как TO-251-3. По сути - полный аналог DPAK, но с полноценной второй ногой. Такой тип транзисторов очень любит использовать фирма Intel на ряде своих плат.

Для электронных компонентов иностранного производства справочные данные берутся из Даташит (Datasheet - в дословном переводе "бумажка с информацией) — официального документа от производителя электронных компонентов, в котором приводятся описание, параметры, характеристики изделия, типовые схемы и т.д. Datasheet обычно представляет собой файл в формате PDF.

3. Основные характеристики N-канального полевого транзистора

Различных параметров важных, и не очень, у полевых транзисторов много. Мы подойдем к вопросу с прикладной точки зрения и ограничимся рассмотрением необходимых нам практически параметров.

Vds - Drain to Source Voltage - максимальное напряжение сток-исток.
Vgs - Gate to Source Voltage - максимальное напряжение затвор-исток.
Id - Drain Current - максимальный ток стока.
Vgs(th) - Gate to Source Threshold Voltage - пороговое напряжение затвор-исток при котором начинает открываться переход сток-исток.
Rds(on) - Drain to Source On Resistance - сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии.
Q(tot) - Total Gate Charge - полныйзарядзатвора.

Параметр Rds(on) может указываться при разных напряжениях затвор-исток, как правило это 10 и 4.5 вольта, это важная особенность которую нужно обязательно учитывать.

4. Система маркировки полевых транзисторов

Рассмотрим на примере транзистора 20N03. Это означает, что он рассчитан на напряжение (Vds) ~30V и ток (Id) ~20A. Буква N означает, что это N-канальный транзистор. Но из любого правила есть исключения, так, например, фирма Infineon указывает в маркировке Rds, а не максимальный ток.

Примеры:

IPP15N03L - Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=12.6mΩ Id=42A TO220
IPB15N03L - Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=12.6mΩ Id=42A TO263(D²PAK)
SPI80N03S2L-05 - Infineon OptiMOS N-channel MOSFET Vds=30V Rds=5.2mΩ Id=80A TO262
NTD40N03R - On Semi Power MOSFET 45 Amps, 25 Volts Rds=12.6mΩ
STD10PF06 - ST STripFET™ II Power P-channel, MOSFET 60V 0.18Ω 10A IPAK/DPAK

Итак, в случае маркировки XXYZZ мы можем утверждать, что XX - или Rds, или Id Y - тип канала ZZ – Vds.

5. Алгоритм проверки исправности полевого транзистора

Проверку можно проводить стрелочным омметром (предел х100), но более удобно это делать цифровым мультиметром в режиме тестирования P-N переходов . Показываемое мультиметром значение сопротивления на этом пределе численно равно напряжению на P-N переходе в милливольтах.

6. Пример проверки транзистора мультиметром:

У исправного полевого транзистора между всеми его выводами должно быть бесконечное сопротивление. Причем бесконечное сопротивление прибор должен показывать независимо от полярности прикладываемого напряжения (щупов).

В современных мощных полевых транзисторах между стоком и истоком имеется встроенный диод поэтому канал «сток-исток» при проверке ведет себя как обычный диод.

Черным (отрицательным) щупом прикасаемся к подложке - СТОКУ (D), красным (положительным) - к выводу ИСТОКА (S). Мультиметр показывает прямое падение напряжения на внутреннем диоде (500 - 800 мВ). В обратном смещении мультиметр должен показывать бесконечно большое сопротивление, транзистор закрыт.

Далее, не снимая черного щупа, касаемся красным щупом вывода ЗАТВОРА (G) и опять возвращаем его на вывод ИСТОКА (S). Мультиметр показывает близкое к нулю значение, причём при любой полярности приложенного напряжения - полевой транзистор открылся прикосновением. На некоторых цифровых мультиметрах возможно значение будет не 0, а 150...170 мВ

Если теперь черным щупом коснуться вывода ЗАТВОРА (G), не отпуская красного щупа, и вернуть его на вывод подложки - СТОКА (D), то полевой транзистор закроется и мультиметр снова будет показывать падение напряжения на диоде. Это верно для большинства N-канальных полевых транзисторов в корпусе DPAK и D²PAK, применяемых на материнских платах и видеокартах.

Транзистор выполнил всё, что от него требовалось. Диагноз - исправен.

Для проверки P-канальных полевых транзисторов нужно поменять полярность напряжений открытия-закрытия. Для этого просто меняем щупы мультиметра местами.

Методика проверки исправности полевых транзисторов с достаточной степенью правильности показана в видеоролике от магазина Чип и Дип

Возможно, Вам это будет интересно:

meandr.org

Как проверить полевой МОП (Mosfet) - транзистор цифровым мультиметром - Интернет-журнал "Электрон" Выпуск №5

В этой статье я расскажу вам, как проверить полевой транзистор с изолированным затвором, то есть МОП-транзистор. Это вторая часть статьи по проверки полевых транзисторов. В первой части я рассказывал, как проверить транзистор с управляющим p-n переходом.

Да, полевые транзисторы с управляющим p-n переходом уходят в прошлое, а сейчас в современных схемах применяются более совершенные полевые транзисторы с изолированным затвором. Тогда предлагаю научиться их проверять.

Но для того, что бы понять, как проверить полевой транзистор, давайте я вам в двух словах расскажу, как он устроен.

Полевой транзистор с изолированным затвором мы знаем под более привычным названием МОП -транзистор (метал -окисел-полупроводник), МДП -транзистор(метал -диэлектрик-полупроводник), либо в английском варианте MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor-Field-Effect-Transistor)

Эти аббревиатуры вытекают из структуры построения транзистора. А именно.

Структура полевого MOSFET транзистора.

Для создания МОП-транзистора берется подложка, выполненная из p-полупроводника, где основными носителями заряда являются положительные заряды, так называемые дырки. На рисунке вы видите, что вокруг ядра атома кремния вращаются электроны, обозначенные белыми шариками.

Когда электрон покидает атом, в этом месте образуется «дырка» и атом приобретает положительный заряд, то есть становиться положительным ионом. Дырки на модели обозначены, как зеленые шарики.

На p-подложке создаются две высоколегированные n-области, то есть области с большим количеством свободных электронов. На рисунке эти свободные электроны обозначены красными шариками.

Свободные электроны свободно перемещаются по n-области. Именно они впоследствии и будут участвовать в создании тока через МДП-тназистор.

Пространство между двумя n-областями, называемое каналом покрывается диэлектриком, обычно это диоксид кремния.

Над диэлектрическим слоем располагают металлический слой. N-области и металлический слой соединяют с выводами будущего транзистора.

Выводы транзистора называются исток, затвор и сток.

Ток в МОП-транзисторе течет от истока через канал к стоку. Для управления этим током служит изолированный затвор.

Однако если подключить напряжение между истоком и стоком, при отсутствии напряжения на затворе ток через транзистор не потечет, потому что на его пути будет барьер из p-полупроводника.

Если подать на затвор положительное напряжение, относительно истока, то возникающее электрическое поле будет к области под затвором притягивать электроны и выталкивать дырки.

По достижению определенной концентрации электронов под затвором, между истоком и стоком создается тонкий n-канал, по которому потечет ток от истока к стоку.

Следует сказать, что ток через транзистор можно увеличить, если подать больший потенциал напряжения на затвор. При этом канал становиться шире, что приводит к увеличению тока между истоком и стоком.

МДП-транзистор с каналом p-типа имеет аналогичную структуру, однако подложка в таком транзисторе выполнена из полупроводника n-типа, а области истока и стока из высоколегированного полупроводника p-типа.

В таком полевом транзисторе основными носителями заряда являются положительные ионы (дырки). Для того, что бы открыть канал в полевом транзисторе с каналом p-типа необходимо на затвор подать отрицательный потенциал.

Проверка полевого MOSFET транзистора цифровым мультиметром

Для примера возьмем полевой МОП-транзистор с каналом n-типа IRF 640. Условно-графическое обозначение такого транзистора и его цоколевку вы видите на следующем рисунке.

Перед началом проверки транзистора замкните все его выводы между собой, что бы снять возможный заряд с транзистора.

Проверка встроенного диода

Для начал следует подготовить мультимер и перевести его в режим проверки диодов. Для этого переключатель режимов/пределов установите в положение с изображением диода.

В этом режиме мультиметр при подключении диода в прямом направлении (плюс прибора на анод, минус прибора на катод) показывает падение напряжения на p-n переходе диода. При включении диода в обратном направлении мультиметр показывает «1».

Итак, подключаем щупы мультиметра, как было сказано выше, в прямом включении диода. Таким образом, красный шум (+) подключаем на исток, а черный (-) на сток.

Мультиметр должен показать падение напряжение на переходе порядка 0,5-0,7.

Меняем полярность подключения встроенного диода, при этом мультиметр, при исправности диода покажет «1».

Проверка работы полевого МОП транзистора

Проверяемый нами МОП-транзистор имеет канал n-типа, поэтому, что бы канал стал электропроводен необходимо на затвор транзистора относительно истока либо стока подать положительный потенциал. При этом электроны из подложки переместятся в канал, а дырки будут вытолкнуты из канала. В результате канал между истоком и стоком станет электропроводен и через транзистор потечет ток.

Для открытия транзистора будет достаточно напряжения на щупах мультиметра в режиме прозвонки диодов.

Поэтому черный (отрицательный) щуп мультиметра подключаем на исток (или сток), а красным касаемся затвора.

Если транзистор исправен, то канал исток-сток станет электропроводным, то есть транзистор откроется.

Теперь если прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет какое-то значение падение напряжения на канале, в виду того, что через транзистор потечет ток.

Таким образом черный щуп транзистора ставим на исток, а красный на сток и мультиметр покажет падение напряжение на канале.

Если поменять полярность щупов, то показания мультиметра будут примерно одинаковыми.

Что бы закрыть транзистор достаточно относительно истока на затвор подать отрицательный потенциал.

Следовательно, подключаем положительный (красный) щуп мультиметра на исток, а черным касаемся затвор.

При этом исправный транзистор закроется. И если после этого прозвонить канал исток-сток, то мультиметр покажет лишь падение напряжения на встроенном диоде.

Если транзистор управляется напряжением с мультиметра (то есть открывается и закрывается), значит можно сделать вывод, что транзистор исправен.

Проверка полевого МОП – транзистора с каналом p-типа осуществляется подобным образом. За тем исключением, что во всех пунктах проверки полярность подключения щупов меняется на противоположную.

Более подробно и просто всю методику проверки полевого транзистора я изложил в следующем видеоуроке:

www.sxemotehnika.ru

Ремонт телевизора 11Ak30A4, замена BU808 на аналог

Всем привет. Сегодня на ремонт привезли Rainford TV5555 с типичной неисправностью «не включается». При попытке включения, телевизор издает умирающий писк, после чего снова переходит в дежурный режим. Хозяин сказал, что несколько раз отвозил его к знакомому мастеру, после чего телевизор проработал не более года.

rainford TV5555

Сняв заднюю крышку, сразу в глаза бросается прикрученный дополнительный радиатор для BU808DF. В принципе, это не является чем-то новым, так как многие мастера добавляют такие радиаторы, чтобы уменьшить температуру строчного транзистора, которая порой может достигать 80 градусов. Я лично такого ни разу не делал, так как в этом не было необходимости.

Дополнительный радиатор BU808DF

Немного почистив плату от пыли, приступил к визуальному осмотру. Сразу увидел вздутый конденсатор C623 47мкф на 160в. Более никаких внешних особенностей на плате мною замечено не было.

Из остатков флюса на плате видно, что предыдущий мастер производил замену транзистора BU808DF и конденсатора C613 10мкф на 50в. Это было сделано правильно, так как севший с613 и является частой причиной «смерти» сточного транзистора.

Приступим к ремонту

Первым же делом я заменил C623 47мкф на 160в. Неисправность этого конденсатора могла вызывать плохую фильтрацию напряжения +B на строчник, что приводит к перегреву транзистора и помехам на изображении.Далее, прозвонил сам BU808DF. Как я и предполагал, он был пробитый. Переход коллектор-база показывал 450 Ом в обе стороны.Так как одну причину возможного выхода из строя строчного транзистора мы определили, я решил сразу проверить C613, и как оказалось не зря. Выпаяв конденсатор, подключил его к ESR метру. Результат был далеко не в пользу конденсатора, так как замеры показали, что его внутренне сопротивление составляет 16 Ом, а должно быть не более 1 Ома! С таким C613 шансов выжить у строчного транзистора не было вообще.

Завышенный ESR конденсатора

Заменить C613 я решил на конденсатор, номиналом 22 Мкф на 63в. После благополучной замены приступил к замене самого транзистора BU808DF.

Замена BU808DF на сборку из двух транзисторов.

С виновниками «смерти» BU808DF разобрался, теперь приступил к замене самого транзистора. Выпаиваю из платы такие вещи я с помощью оплетки. Если в наличии нет заводской оплетки, то использую обычный многожильный медный провод хорошо покрытым флюсом.Нагретым паяльником прижимаю к ножке транзистора оплетку, чтоб та вобрала в себя все олово. Убираю оплетку, и кусачками откусываю использованный кусочек.

Выпаивание транзистора оплеткой

Так повторяю пока ножки детали полностью не освободятся от олова. Результат таких действий видно на картинке ниже.

Результат выпаивания BU808 оплеткой

Купить BU808DF нормального качества сейчас почти не реально, да и цена его очень сильно кусается.Как только стало проблематично закупать транзисторы BU808DF , я задался вопросом о замене транзистора на что-то другое. На одном из форумов (наверное форум сайта монитор), я наткнулся на сборку BU808DF из 2-х транзисторов MD1802 и MD1803DFX. Перерисовав схему, пользуюсь ей по сей день. Кстати, вместо 1802 и 1803 неоднократно использовал BU508AF и BU508DF, работают они также хорошо, правда немного больше греются, но это ни на что не влияет.Вот сама схема:

Схема замены BU808DF

Из дополнительных запчастей еще понадобится диод (можно любой выпрямительный из блока питания) и сопротивление 390-400 Ом.Сначала выпаиваю сам радиатор. Откручиваю дополнительный радиатор установленный предыдущим мастером, и устанавливаю транзисторы как на картинке ниже.

Обязательно под транзисторы необходимо намазать немного теплопроводящей пасты.Вверх ножками у нас установлен транзистор MD1802. Для того, чтоб не сделать ошибку, на радиаторе делаю надписи с обозначением выводов, чтобы случайно их не попутать.Вот так выглядит конечный результат.

Готовая замена BU808DF

Для большей наглядности провода сделал разными цветами.Устанавливаем все на место.

Забыл добавить, что перед установкой транзистора, я измерял напряжение, приходящее на строчник. Оно ровняется 115в, что в пределах нормы.Конечный вариант после чистки платы от флюса.

После всех манипуляций телевизор заработал.

После 20 минут работы, температура радиатора составила 45 градусов. Так как термопара может немного искажать результат, думаю, что реальная температура радиатора составила не более 50 градусов, так как руку держать на нем можно без усилий.

температура радиатора BU808DF

Подводя итоги:

В процессе ремонта было заменено 2 конденсатора и транзистор BU808DF на сборку из двух MD1802 и MD1803DFX. После ремонта, телевизор проработал на прогоне около 7 часов, после чего был отдан хозяину.

Схема телевизора:

11AK30-A4.rar (705,3 KiB, 3 767 hits)

Спасибо за внимание. Если есть вопросы пишите в комментариях.

Весь инструмент и расходники, которые я использую в ремонтах находится здесь. Если у Вас возникли вопросы по ремонту телевизионной техники, вы можете задать их на нашем новом форуме . Загрузка...

my-chip.info